
1. Feladat
MOSFET 1,5 W-ot disszipál, θJA=50 °C/W, Ta=30 °C. Közelítő Tj?

2. Megoldási terv
- Válaszd szét a statikus és dinamikus viselkedést.
- A statikus részhez használd az I, RDS(on), VGS vagy SOA adatokat.
- A dinamikus részhez nézd a gate töltést, kapacitásokat, dv/dt/di/dt és a driver impedanciáját.
- Számold ki a kérdezett mennyiséget, majd becsüld a veszteséget és hőmérsékleti hatást.
- Ellenőrizd, hogy az eredmény belefér-e az üzemi tartományba.
3. Adatok és modell
Adatok és feltételezések
Konkrétan megadott számadatok:
θJA=50 °C/WTa=30 °C1,5 W50 °C/W30 °C
Modell/feltétel:
- Egyszerű, állandósult termikus modellt használunk; θJA csak becslés.
4. Mit keresünk?
A feladat célmennyiségét vagy célkövetkeztetését egyetlen mondatban fogalmazd meg, mielőtt számolni kezdesz.
5. Levezetés / számolás
A számítás gerince: ΔT=75 °C, így Tj≈105 °C. Valós PCB-n θJA erősen layoutfüggő. A behelyettesítés után mindig tartsd meg az egységeket, mert az egységellenőrzés az egyik legegyszerűbb hibaszűrő.
6. Rövid eredmény
105 °C
7. Ellenőrzés
MOSFET sanity-check: nagyobb áram négyzetesen növeli az I²R vezetési veszteséget; gyorsabb kapcsolás csökkentheti az átmeneti időt, de növelheti a ringing/EMI kockázatát.
8. Fizikai értelmezés
ΔT=75 °C, így Tj≈105 °C. Valós PCB-n θJA erősen layoutfüggő.
9. Kiértékelés és valós korlátok
Kiértékelés: hasonlítsd össze az eredményt azzal, amit fizikailag vártál. Ha az eredmény meglepő, először az egységátváltást, majd a modellt és az implicit feltételezéseket ellenőrizd.
10. Továbblépés
Továbblépés: ugyanazt a feladatot oldd meg másik RDS(on), Qg vagy kapcsolási frekvencia mellett, és hasonlítsd össze a vezetési és kapcsolási kompromisszumot.
11. Önértékelés
Önértékelés: 2 pont terv/modellezés, 3 pont számítás, 2 pont valós korlátok, 1 pont sanity-check.
12. Gyors önellenőrző kérdések
- Mi volt a megoldás kulcsfelismerése?
- Melyik feltételezést használtuk?
- Melyik valós hatás változtatná meg leginkább az ideális eredményt?
- Milyen méréssel ellenőriznéd a számítást egy valódi áramkörön?