Referencia: pontos fogalom, fizikai működés, mérés és valós korlátok. Nem a tanulókártya ismétlése.
Pontos meghatározás
Insulated-Gate Bipolar Transistor.
Fizikai / áramköri működés
Vezetéskor inkább VCE(sat)-szerű feszültségesése van; kapcsolási farokáram növelheti a veszteséget.
Fontos összefüggés
Pcond≈VCE(sat)·I.
Mérés és ellenőrzés
Mérj VCE, IC és kapcsolási hullámformákat izolált/differenciális módszerrel.
Nemideális korlát / félreértés
Alacsony feszültségen MOSFET sokszor hatékonyabb a kisebb vezetési esés miatt.
Példa üzemi helyzet
20 A és 2 V VCE(sat) → 40 W vezetési veszteség.